蘇州大學(xué)AFM：效率23.3%的晶體硅太陽(yáng)能電池高性能透明電子選擇接觸

采用摻雜硅層基載流子選擇接觸的高效硅太陽(yáng)能電池由于寄生吸收而遭受光損耗。在這篇文章中，蘇州大學(xué)張曉宏、楊新波等人提出了一種高性能的高透明度電子選擇接觸，由本征氫化非晶硅(a-Si:H)鈍化層、原子層沉積導(dǎo)電氧化鎂(MgOx)和低功函數(shù)鋁摻雜氧化鋅(AZO)組成。a-Si:H/MgOx/AZO疊層在晶體硅(c-Si)上具有優(yōu)異的透明電子選擇觸點(diǎn)，其接觸電阻率(ρc)為56.0 mΩ cm2，低復(fù)合電流密度(J0)為2.9 fA cm-2。

通過(guò)實(shí)現(xiàn)a-Si:H/MgOx/AZO前接觸，在硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池上實(shí)現(xiàn)了23.3%的高功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)，與傳統(tǒng)的摻磷硅層電子選擇接觸相比，其短路電流密度(Jsc)和PCE增益分別為1.3 mA cm-2和1.2%。此外，在兩側(cè)具有無(wú)摻雜非對(duì)稱異質(zhì)接觸a-Si:H/MgOx/AZO前觸點(diǎn)和a-Si:H/氧化釩(VOx)后觸點(diǎn)的c-Si太陽(yáng)能電池上，PCE達(dá)到了22.8%。

High-Performance Transparent Electron-Selective Contact for Crystalline Silicon Solar Cells