主要內(nèi)容

鈣鈦礦/電子傳輸層(ETL)界面上存在的高密度缺陷會(huì)導(dǎo)致顯著的非輻射復(fù)合損失，從而阻礙鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池(TSCs)效率的提高。在這篇文章中，蘇州大學(xué)楊新波、張曉宏、劉江及江蘇大學(xué)楊娟等人設(shè)計(jì)了一種基于茂金屬的分子，cobalt (III)dichlorophene hexafluorophosphate(CcPF6)，用于鈣鈦礦表面鈍化。為了**限度地發(fā)揮其功效，將分子溶解在乙腈和氯苯的混合溶劑中，從而重建鈣鈦礦表面并有效鈍化表面缺陷。

這種改性策略通過(guò)緩解由于頂部鈣鈦礦涂層不均勻而導(dǎo)致的低填充因子問(wèn)題，提高了鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池的整體效率。利用雙面紋理硅異質(zhì)結(jié)(HJT)底電池，實(shí)現(xiàn)了單片鈣鈦礦/硅TSC(1.00cm2)30.43%的認(rèn)證功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)，開路電壓(Voc)1.93V，填充因子(FF)為78.43%。在干燥柜（濕度5%、溫度為20℃）中存放1000h后，該設(shè)備保持了94.27%的初始性能。

文獻(xiàn)信息

Chang Wang, Shibo Wang, Wei Shi, Zhaojun Su, Kun Gao, Fengxian Cao, Dacheng Xu, Xinliang Lou, Xinyu Wang, Kun Li, WenHao Li, Xiang Chen, Haicheng Li, Wenhao Li, Anling Tong, Yongtian Xiao, Jiang Liu*, Xiaohong Zhang*, Juan Yang*, Xinbo Yang*