主要內(nèi)容

*小化鈣鈦礦薄膜中的界面電荷缺陷對于減少非輻射復(fù)合和提高器件性能至關(guān)重要。在這篇文章中，四川大學(xué)彭強、吳義輝團(tuán)隊設(shè)計了不同活性位點和空間構(gòu)型的琥珀酸（SA）衍生物來調(diào)節(jié)鈣鈦礦薄膜中的缺陷和結(jié)晶。

具有兩個對稱Br原子的SA衍生物二溴丁二酸（DBSA）對缺陷鈍化表現(xiàn)出空間排列。研究結(jié)果表明，DBSA中的羧基和Br原子與欠配位的Pb2+有著協(xié)同作用。Br的強電負(fù)性通過靜電相互作用有效地穩(wěn)定了甲脒陽離子。因此，薄膜質(zhì)量顯著提高，非輻射復(fù)合明顯降低，使光致發(fā)光壽命超過4μs，載流子擴散長度為3μm。實現(xiàn)了25.41%的**效率（認(rèn)證為25.00%）、84.39%的高填充因子和出色的長期運行穩(wěn)定性。

文獻(xiàn)信息

Tailored Succinic Acid-Derived Molecular Structures Toward 25.41%-Efficiency and Stable Perovskite Solar Cells