主要內容

將寬帶隙（WBG）和窄帶隙（NBG）鈣鈦礦與互連層（ICLs）相結合來構建單片全鈣鈦礦疊層太陽能電池是實現高功率轉換效率（PCE）的有效途徑。然而，若要充分利用全鈣鈦礦疊層太陽能電池的潛力需要進一步降低ICLs的光學損耗。

在這篇文章中，南京大學譚海仁等人采用具有更低光學損耗的咔唑空穴選擇分子（CHs）錨定的金屬氧化物納米晶體層來取代聚（3，4-乙烯二氧噻吩）聚苯乙烯磺酸酯（PEDOT:PSS）作為鉛錫（Pb-Sn）鈣鈦礦子電池中的空穴傳輸層（HTLs）和全鈣鈦礦疊層太陽能電池中的ICLs。

采用光學透明的氧化銦錫納米晶體（ITO NCs）層來增強CHs的錨定，同時采用兩種CHs混合物來調節(jié)ITO NCs的表面能級。優(yōu)化后的混合Pb-Sn-NBG鈣鈦礦太陽能電池PCE高達23.2%，短路電流密度（Jsc）為33.5mA cm-2。在全鈣鈦礦疊層太陽能電池中進一步獲得了28.1%的高PCE，迄今為止*高Jsc為16.7mA cm-2。封裝的疊層太陽能電池在1-Sun光照下以功率點（MPP）運行500小時后仍保持90%的參考效率。

文獻信息

Efficient All-Perovskite Tandem Solar Cells with Low-Optical-Loss Carbazolyl Interconnecting Layers